深圳市励芯恒智能科技有限公司

3年
晶体管 - - SI7956DP-T1-GE3
晶体管 - - SI7956DP-T1-GE3
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晶体管 - - SI7956DP-T1-GE3

型号/规格:

SI7956DP-T1-GE3

品牌/商标:

Vishay

封装:

PowerPAK® SO-8

批号:

22+

数量:

20000

说明:

原装现货

产品信息

晶体管 - - SI7956DP-T1-GE3  产品属性
型描述选择 
类别 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 阵列  
制造商 Vishay Siliconix  
系列 TrenchFET  
包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel 得捷定制卷带  
Product Status 在售  
FET 类型 2 N-通道(双)  
FET 功能 逻辑电平门  
漏源电压(Vdss) 150V  
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.6A  
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 105 毫欧 @ 4.1A,10V  
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 4V @ 250?A  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 26nC @ 10V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) -  
功率 - 值 1.4W  
工作温度 -55?C ~ 150?C(TJ)  
安装类型 表面贴装型  
封装/外壳 PowerPAK SO-8 双  
供应商器件封装 PowerPAK SO-8 双  
基本产品编号 SI7956  
类型
描述
选择 
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET?
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel? 得捷定制卷带
Product Status
在售
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
150V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值)
105 毫欧 @ 4.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值)
4V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值)
26nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值)
-
功率 - 值
1.4W
工作温度
-55?C ~ 150?C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK? SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK? SO-8 双
基本产品编号
SI7956


晶体管 - - SI7956DP-T1-GE3  产品图片


晶体管 - - SI7956DP-T1-GE3  供应商介绍:

深圳市励芯恒智能科技有限公司,经营电子元器件,主要用于消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络。致力为客户提供全方位的服务。 主营范围:消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络 主营范围:消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络

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