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产品信息
晶体管 - IPD90N04S403ATMA1产品属性
类型描述选择
类别 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
系列 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS
包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel 得捷定制卷带
Product Status 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 90A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 3.2 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 4V @ 53?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 66.8 nC @ 10 V
Vgs(值) ?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 5260 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(值) 94W(Tc)
工作温度 -55?C ~ 175?C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3-313
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 %2B 接片),SC-63
基本产品编号 IPD90N
类型描述选择
类别 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
系列 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS
包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel 得捷定制卷带
Product Status 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 90A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 3.2 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 4V @ 53?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 66.8 nC @ 10 V
Vgs(值) ?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 5260 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(值) 94W(Tc)
工作温度 -55?C ~ 175?C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3-313
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 %2B 接片),SC-63
基本产品编号 IPD90N
类型
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描述
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选择
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类别
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分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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制造商
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Infineon Technologies
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系列
|
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
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包装
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卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel? 得捷定制卷带
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Product Status
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在售
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FET 类型
|
N 通道
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技术
|
MOSFET(金属氧化物)
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漏源电压(Vdss)
|
40 V
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25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)
|
90A(Tc)
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驱动电压( Rds On, Rds On)
|
10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻(值)
|
3.2 毫欧 @ 90A,10V
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不同 Id 时 Vgs(th)(值)
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4V @ 53?A
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值)
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66.8 nC @ 10 V
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Vgs(值)
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?20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值)
|
5260 pF @ 25 V
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FET 功能
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-
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功率耗散(值)
|
94W(Tc)
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工作温度
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-55?C ~ 175?C(TJ)
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
|
PG-TO252-3-313
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封装/外壳
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TO-252-3,DPak(2 引线 %2B 接片),SC-63
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基本产品编号
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IPD90N
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晶体管 - IPD90N04S403ATMA1产品图片
晶体管 - IPD90N04S403ATMA1供应商介绍:
深圳市励芯恒智能科技有限公司,经营电子元器件,主要用于消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络。致力为客户提供全方位的服务。 主营范围:消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络 主营范围:消费电子,工业控制,汽车电子.
晶体管 - IPD90N04S403ATMA1供应商仓库: