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产品信息
分立半导体产品 晶体管IRFP4468PBF 产品属性
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 195A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 2.6 毫欧 @ 180A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 4V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 540 nC @ 10 V
Vgs（值） ?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 19860 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（值） 520W（Tc）
工作温度 -55?C ~ 175?C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AC
封装/外壳 TO-247-3
基本产品编号 IRFP4468
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 195A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 2.6 毫欧 @ 180A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 4V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 540 nC @ 10 V
Vgs（值） ?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 19860 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（值） 520W（Tc）
工作温度 -55?C ~ 175?C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AC
封装/外壳 TO-247-3
基本产品编号 IRFP4468
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类型
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描述
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选择
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类别
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分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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制造商
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Infineon Technologies
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系列
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HEXFET?
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包装
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管件
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Product Status
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在售
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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100 V
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25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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195A（Tc）
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驱动电压（ Rds On， Rds On）
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10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）
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2.6 毫欧 @ 180A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（值）
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4V @ 250?A
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）
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540 nC @ 10 V
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Vgs（值）
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?20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）
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19860 pF @ 50 V
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FET 功能
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功率耗散（值）
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520W（Tc）
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工作温度
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-55?C ~ 175?C（TJ）
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安装类型
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通孔
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供应商器件封装
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TO-247AC
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封装/外壳
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TO-247-3
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基本产品编号
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IRFP4468
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分立半导体产品 晶体管IRFP4468PBF 产品图片
分立半导体产品 晶体管IRFP4468PBF 供应商介绍：
深圳市励芯恒智能科技有限公司，经营电子元器件，主要用于消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络。致力为客户提供全方位的服务。 主营范围：消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络 主营范围：消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络
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