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产品信息
分立半导体产品SI7129DN-T1-GE3产品属性
类型描述选择
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel 得捷定制卷带
Product Status 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 35A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 11.4 毫欧 @ 14.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 2.8V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 71 nC @ 10 V
Vgs（值） ?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 3345 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（值） 3.8W（Ta），52.1W（Tc）
工作温度 -50?C ~ 150?C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK 1212-8
封装/外壳 PowerPAK 1212-8
基本产品编号 SI7129
类型描述选择
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel 得捷定制卷带
Product Status 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 35A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 11.4 毫欧 @ 14.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 2.8V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 71 nC @ 10 V
Vgs（值） ?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 3345 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（值） 3.8W（Ta），52.1W（Tc）
工作温度 -50?C ~ 150?C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK 1212-8
封装/外壳 PowerPAK 1212-8
基本产品编号 SI7129
分立半导体产品SI7129DN-T1-GE3产品图片
分立半导体产品SI7129DN-T1-GE3供应商介绍：
深圳市励芯恒智能科技有限公司，经营电子元器件，主要用于消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络。致力为客户提供全方位的服务。 主营范围：消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络 主营范围：消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络
分立半导体产品SI7129DN-T1-GE3供应商仓库：
